Bu projede, Kendiliğinden organize olan Kuantum Noktalarının gelecek nesil bellek aygıtlarda kullanılabilmesi için oldukça önemli olan iki temel konu; taşıyıcı saklama (depolama) ve bilgi okuma süreçleri detaylı olarak araştırılacaktır.
Kuantum Noktaları ve Kuantum Noktaları civarında bulunan iki boyutlu boşluk gazı (2BBG) içeren yarıiletkenlerin yüklü taşıyıcı dinamiği incelenecektir.
Bir p-n ekleminin arınma bölgesi civarında bulunan Kuantum Noktaları ve iki boyutlu boşluk gazı içeren örneklerin farklı sıcaklıklarda elektriksel özellikleri (iletkenlik, kapasitans, empedans) özellikleri incelenecektir. III-V grubu yarıiletkenlerinden oluşan Kuantum Noktalarında, taşıyıcı bulundurma süresi, Kapasitans ve derin tuzak geçiş spektroskopisi (DLTS) ile bulunmaya çalışılacaktır.
Kuantum noktalarında bulanan taşıyıcılar ile iki boyutlu boşluk gazındaki boşlukların etkileşimi Kapasite-Voltaj (C-V) ve iletkenlik ölçümleriyle incelenecektir. İki boyutlu boşluk gazının direncinin ölçülmesi ile Kuantum Noktalarında depolanan taşıyıcılar hakkında bilgi ve okuma süreci belirlenmeye çalışılacaktır.

Araştırmalar:

• Kuantum Noktaları ve 2 Boyutlu Boşluk Gazı içeren yarıiletken sistemlerin elektriksel özellikleri incelenecektir.
• Kurulacak deney düzenekleri ile yarıiletken malzemelerde Akım-Voltaj, Kapasite-Voltaj, DLTS deneyleri yapılabilecektir.
• Yüksek frekanslarda Bellek aygıt karakterizasyonu yapılabilecek, Bu anlamda nanosaniye mertebelerinde yazma/okuma zamanı araştırmaları yapılabilecektir.
• Nano boyutlardaki Kuantum Noktaları içeren sistemlerin taşıyıcı dinamiği incelenecektir.
• Berlin Teknik Üniversitesi (Almanya) ile devam eden işbirliğimize katkı sağlayacak araştırma olanaklarının üniversitemiz bünyesinde kurulması amaçlanmaktadır.
• Kuantum Noktaları temelli bir bellek için bilgi okuma süreci ilk kez incelenecektir ve bu alanda önemli bilgiler elde edilecektir.